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安存硬盤技術概述
OptiNAND 技術：
將(jiāng)硬盤關鍵數據刷新到 iNAND 中，提高硬盤在緊急斷電情況下的恢複能(néng)力，硬盤安全可靠性得以提高。
使用增強型固件使磁道(dào)間距更小，減少磁道(dào)間的幹擾，每TB的功耗降低了14%，容量提高了25%
ePMR （能(néng)量輔助磁記錄）技術：
在磁頭上加輔助能(néng)量得以使用更精确的磁頭來提高磁比特，減少抖動， 提高信噪比，增加ADC（磁記錄密度），
Triple-Stage Actuator （三級尋軌定位系統）
通過(guò)對(duì)磁頭臂的控制提高TPI（每英寸磁道(dào)數）能(néng)力
值得信賴的可靠性和品質，适用于大規模數據
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健康與安全
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交通運輸
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智慧城市
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安全
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智慧工廠
安存硬盤的優點
單位成(chéng)本降低（與非OptiNAND技術的16TB盤對(duì)比）：
1.1 單盤容量比16TB的HDD提高25%
1.2 節省電量：每TB的功耗降低了14%。
1.3 節省硬盤空間。
1.4 服務器成(chéng)本降低10%，總體成(chéng)本降低16%
數據的安全可靠性提高：
2.1 采用的Opti NAND 技術可以將(jiāng)硬盤關鍵數據刷新到 iNAND 提高在緊急斷電情況下恢複能(néng)力。
2.2 ArmorCache™功能(néng)，整合了啓用寫入緩存模式的性能(néng)與禁用寫入緩存模式的數據保護，在兩(liǎng)種(zhǒng)場景下均能(néng)達到理想狀态。
硬盤性能(néng)的提升：
OptiNAND技術通過(guò)優化固件，減少相鄰磁道(dào)幹擾(ATI)，寫緩存刷新頻率降低，縮短延遲。硬盤性能(néng)大大提高。
在傳輸長(cháng)度爲256KB或以上時，IOPS和吞吐量提高40%以上，在傳輸長(cháng)度爲1MB時，其性能(néng)峰值可以高出80%以上。
新的OptiNAND™ 技術
使用OptiNAND™技術如何實現智能(néng)體系結構
Recording Technology
磁記錄技術
Mechanism
實現機制
Servo
Metadata
伺服元數據
CMR & SMR
使用新的扇區格式（4Kn）提高容量
Non-Volatile
Cache
非易失性緩存
CMR & SMR
增強緩存性能(néng)：在突然掉電期間，DRAM中的随機寫入數據被(bèi)刷新到iNAND（100MB）,不同于以前的2MB的串行閃存。提高了50倍的性能(néng)。掉電時的數據安全性也得到了增強。
Track Interface Monitoring
磁道(dào)接口監控
CMR
性能(néng)提高：減少來自相鄰磁道(dào)幹擾的刷新與開(kāi)啓寫緩存模式下數據刷寫的需求等，磁盤延遲也得到了改善，性能(néng)得到了提高。
Position
ErrorTracking
位置錯誤跟蹤
SMR
用上一次磁道(dào)的信息實現更好(hǎo)的寫入當前磁道(dào)的數據，以提高TPI和容量
糾錯功能(néng)
好(hǎo)處：實現機制SNR: Signal to Noise Ratio信噪比 ITI: Inter Track Interference磁道(dào)間幹擾 LDPC: Low Density Parity Check used for Error correction.用于糾錯的低密度奇偶校驗檢查。 TPI: Tracks per Inch每英寸的磁道(dào)數
UltraSMR: 增強的糾錯技術
TDMR USUAL 1D DETECTOR常規一維探測器
SMR
多個讀取傳感器提高了信噪比和消除磁道(dào)間幹擾
分布式扇區
減少了單個扇區的缺陷，增加了LDPC引擎糾正錯誤的可能(néng)性
物理磁道(dào)末端有4個軟奇偶校驗扇區
額外的磁道(dào)奇偶校驗扇區形成(chéng)了多維的LDPC，它允許更大的校正能(néng)力
糾錯功能(néng)
好(hǎo)處：實現機制SNR: Signal to Noise Ratio信噪比 ITI: Inter Track Interference磁道(dào)間幹擾 LDPC: Low Density Parity Check used for Error correction.用于糾錯的低密度奇偶校驗檢查。 TPI: Tracks per Inch每英寸的磁道(dào)數
安存硬盤型号列表
| 型号 | 系列 | 加密 | 容量 | 接口 | 磁記錄模式 | 功耗
(運行/空閑) （随機RW 50/50 4K, QD4） |
讀寫速度 |
可靠性 |
沖擊 （半正弦波，2ms，G） |
工作 溫度
|
|||
|
順序讀寫 MB/s |
随機讀寫 (RW 50/50 4K, QD4) IOPS |
MTBF (M hours) |
UBER (讀錯誤率) |
運行狀态(R/W) |
非運行 狀态 |
||||||||
|
WUH721816ALE6L4 |
DC HC550 |
N |
16TB |
SATA |
CMR |
8.6W/5.6W |
262 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
50/50 |
250 |
5-60 |
|
WUH721818ALE6L4 |
DC HC550 |
N |
18TB |
SATA |
CMR |
8.6W/5.6W |
269 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
50/50 |
250 |
5-60 |
|
WUH722020BLE601 |
DC HC560 |
SED +TCG |
20TB |
SATA |
CMR |
9.0W/6.0W |
269 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
50/50 |
250 |
5-60 |
|
WUH722020BLE604 |
DC HC560 |
N |
20TB |
SATA |
CMR |
9.0W/6.0W |
269 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
50/50 |
250 |
5-60 |
|
WUH722222ALE6L1 |
DC HC570 | SED |
22TB |
SATA |
CMR |
9.3W/5.7W |
291 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
40/40 | 200 |
5-60 |
|
WUH722222ALE6L4 |
DC HC570 |
N |
22TB |
SATA |
CMR |
9.3W/5.7W |
291 | 217 | 2.5 |
<1/1015 |
40/40 | 200 |
5-60 |
産品中心
分布式海量溫冷存儲服務器
安全加強型存儲服務器
數據中心設施智能(néng)管理系統
深圳安存技術有限公司
ARTDATA TECHNOLOGY LIMITED
總部地址：深圳市福田區天安數碼城創新科技廣場A座303室
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